IV2Q06060T4Z_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續(xù)漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為45mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性。適用于高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，可在較高結(jié)溫下維持可靠運(yùn)行，有助于簡(jiǎn)化散熱結(jié)構(gòu)并提升整體系統(tǒng)性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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