SCT3080ARHRC15-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源擊穿電壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為75mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件依托碳化硅材料的高熱導(dǎo)率與高擊穿場強(qiáng)，在高頻開關(guān)條件下仍能保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于對效率和體積有嚴(yán)苛要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其負(fù)柵壓能力有助于增強(qiáng)關(guān)斷可靠性，提升在復(fù)雜電氣環(huán)境下的運(yùn)行穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
