STL42N65M5-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:37A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備37A的連續(xù)漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至75mΩ，可在柵源電壓-8V至@0V范圍內(nèi)可靠運行。憑借碳化硅材料的高熱導率與寬禁帶特性，器件在高頻開關條件下仍保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換場合。其電氣性能有助于簡化散熱設計并提升系統(tǒng)整體穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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