NTMT064N65S3H-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:68A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道類型，具有68A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻低至45mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強度與熱導率，器件在高頻開關操作中表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于高效率電源系統、可再生能源轉換裝置及各類高功率密度電力電子設備中的開關功能。
