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DCG160X650NA-HXY_SOT-227_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-227 類(lèi)別：碳化硅二極管最小包裝：13/管裝參數(shù)1：IF:250A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.4V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管額定正向電流（IF）為250A，反向重復(fù)峰值電壓（VR）達(dá)650V，正向壓降（VF）典型值為1.4V，反向漏電流（IR）僅為100μA。器件具備600A的非重復(fù)浪涌正向電流能力（IFSM），可在高電流瞬態(tài)條件下保持可靠運(yùn)行。其低導(dǎo)通損耗與優(yōu)異的高頻特性，使其適用于對(duì)效率和熱性能要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換及高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

DCG160X650NA-HXY_SOT-227_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-227 類(lèi)別：碳化硅二極管 最小包裝：13/管裝 參數(shù)1：IF:250A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.4V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-227 類(lèi)別：碳化硅二極管最小包裝：13/管裝參數(shù)1：IF:250A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.4V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)