SIR4604DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:65A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有65A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為60V，導(dǎo)通電阻低至8毫歐，在柵源電壓達(dá)20V時(shí)仍能穩(wěn)定工作。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體效率，適用于對(duì)功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻開關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開關(guān)特性，適合在高頻率下實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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