SIHD5N50D-E3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件適用于中高電壓開關場景，其N溝道結構支持高效控制與較低的驅動損耗，在電源轉換、電機驅動及各類電子負載開關等應用中可實現穩定可靠的性能表現。參數特性使其在兼顧耐壓能力的同時，滿足對導通效率有一定要求的電路設計需求。
