SIHD6N65ET5-GE3-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流能力，導通電阻（RDS(on)）為550mΩ，在柵源驅動電壓范圍-8V至@0V（VGS）內可靠運行。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高電壓、高頻率工作條件下表現出較低的開關與導通損耗，適用于對效率、體積及熱性能有嚴苛要求的電源轉換系統。
