SIHD6N65ET4-GE3-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為550mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V（VGS）內穩定工作。器件利用碳化硅材料特性，適用于高效率、高頻率的電源轉換場景，其低導通損耗與高耐壓能力有助于提升系統整體性能，適合對能效和熱管理有較高要求的應用環境。
