NTTFS4C05NTWG-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.9毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗特性，使其適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換及功率開關場景。器件結構優化了導通與開關性能，在高頻操作下仍能保持較低的功率損耗，適合用于各類高密度、高效率的電子系統中。
