NVMFS4C310NT1G_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備80A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）典型值為4.7毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，提升整體效率，適用于高電流開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電動工具驅(qū)動以及各類高效功率轉(zhuǎn)換電路。其電氣參數(shù)適合在高頻、大電流條件下穩(wěn)定運行，滿足對熱性能和能效有較高要求的應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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