NCE65T260K_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有20A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為160mΩ，在柵源電壓范圍-5V至!6V內(nèi)穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉(zhuǎn)換場景。其堅固的結(jié)構(gòu)支持在嚴苛電氣環(huán)境中可靠運行，適合用于高功率密度的電力電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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