NTMFS4C08NAT1G_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），以及最高20V的柵源電壓（VGS）。低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。器件適用于高電流、高效率要求的開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、服務(wù)器供電單元及便攜式高功率設(shè)備等應(yīng)用場景，在高頻開關(guān)和持續(xù)大電流工作條件下均能保持穩(wěn)定性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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