DMTH10H009SPSWQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:7.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備75A的漏極電流（ID）和100V的漏源電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至7.3毫歐，在柵源電壓（VGS）達(dá)20V時可實現(xiàn)高效開關(guān)操作。其低導(dǎo)通損耗與高電流處理能力，使其適用于高效率電源管理、電機(jī)控制、不間斷電源系統(tǒng)及各類中高功率電子設(shè)備中的開關(guān)與功率轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，有助于提升整體電路的能效表現(xiàn)與熱穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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