ASA60R210E_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有20A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為160mΩ，在柵源電壓范圍-5V至!6V內(nèi)穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻、高效率應(yīng)用場景中表現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)性能與熱穩(wěn)定性，適用于對功率密度和能效有較高要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)能力有助于簡化散熱設(shè)計(jì)并提升整體系統(tǒng)響應(yīng)速度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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