TK560A65Y,S4X_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:7.1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有7.1A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為410mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率電源、光伏逆變系統(tǒng)、服務(wù)器電源及類似對熱管理和能效有較高要求的電力電子應(yīng)用。其負向柵壓耐受能力有助于提升開關(guān)可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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