NTMFS4C09NAT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ，在柵源電壓（VGS）為20V時可實現高效導通。器件適用于對開關速度與導通損耗要求較高的電源管理場景，其低阻抗特性有助于減少功率損耗并提升系統效率，適合用于高密度、高效率的直流轉換及負載開關等電路拓撲中。
