TK7P65W,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:8.6A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:525mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的漏極連續(xù)電流為8.6A，漏源擊穿電壓達(dá)800V，導(dǎo)通電阻為525mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，在高電壓和中等電流條件下展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗與良好的開關(guān)性能，適用于高頻電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高效率電力電子設(shè)備。其寬柵壓容限有助于提升驅(qū)動(dòng)兼容性與系統(tǒng)穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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