TPN6R003NL,LQ_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有40A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐。低導通電阻有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。器件適用于高電流負載的電源管理、直流-直流轉換器、電機驅動以及需要高效熱性能和緊湊布局的電子系統，在頻繁開關或持續大電流工作條件下均能保持穩定可靠的表現。
