CSD19533KCS-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備70A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）、8.5毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源驅動電壓（VGS）。其低導通電阻有助于減少導通損耗，配合較高的電流與電壓額定值，適用于高效率電源轉換、電機控制及開關電源等場景。器件在高頻工作條件下仍能保持良好的熱穩定性和開關特性，適合對功率密度和能效有較高要求的應用。
