CSD17303Q5_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備150A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為1.4毫歐，柵源驅動電壓額定值為20V。其超低RDS(ON)顯著降低導通損耗，在高電流密度應用中可有效提升能效并減少發熱。適用于對功率效率和熱管理要求嚴苛的電源系統、電機控制及高性能計算設備中的電源轉換模塊。
