NVMFS5C426NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流（ID）為219A，漏源擊穿電壓（VDSS）為40V，導通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐，柵源電壓（VGS）額定值為20V。憑借極低的導通電阻和高電流承載能力，該器件適用于高效率、大電流的開關電源、電池管理系統以及高頻功率轉換電路，在確保穩定運行的同時有效降低導通損耗與發熱。
