GKI03061-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET的漏極連續(xù)電流（ID）為80A，漏源電壓（VDSS）為30V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為4.7mΩ，柵源電壓（VGS）最大額定值為20V。器件在高電流條件下保持較低的導(dǎo)通損耗，適用于對(duì)效率和熱性能有較高要求的電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及各類(lèi)開(kāi)關(guān)電路中，能有效支持大電流負(fù)載的穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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