NTMFS4852NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備150A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為1.4毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。其超低導通電阻顯著降低導通損耗，在大電流工作條件下仍能保持高效能與較低溫升。適用于高功率密度的電源轉換、電池管理系統、電動工具驅動及各類需要頻繁開關操作的電子設備中，能夠可靠支持高負載運行需求。
