STD6N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+19V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.3A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為820mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至!9V，適用于對開關效率和熱性能要求較高的電力電子場合。器件基于碳化硅材料，具備優異的高頻特性和較低的開關損耗，在適配器、電源轉換及高密度功率模塊等應用中可實現緊湊設計與高效運行。
