CSD17577Q3AT_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流為60A，最大漏源電壓為30V，導通電阻為4毫歐。器件在高電流應用中表現出較低的導通損耗，有助于控制溫升并提升系統效率。其電氣參數適合用于電源轉換、電池保護電路以及大電流負載開關等場景。在持續工作或高頻開關條件下，能夠維持穩定的性能表現，滿足對可靠性和能效有較高要求的電子系統需求。
