NVMFS5C670NLT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為5.3mΩ，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，適合用于高效率電源轉換、大電流開關電路及電機控制等場合。其高電流承載能力與低阻特性相結合，有助于提升系統熱穩定性和整體能效表現。
