NTMFS4121NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）為4.3毫歐。其低導通電阻有助于有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。器件適用于高電流、高效率要求的開關應用，如電源轉換模塊、電動工具驅動電路、便攜式設備供電系統以及各類需要緊湊布局與良好熱穩定性的電子裝置中。
