SPD06N60C3BTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:8.6A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:525mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具有8.6A的連續(xù)漏極電流與800V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為525mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫性能與開關(guān)特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換場景。其低導(dǎo)通損耗與高耐壓能力使其在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)突出，可有效提升系統(tǒng)整體能效與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
