NVMFS5C450NAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:130A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備130A的連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.8毫歐。如此低的導通電阻有效降低了導通狀態下的功率損耗，適合在高電流、高效率要求的電源轉換和開關應用中使用。其電氣特性支持快速開關操作，適用于對熱性能和能效有較高要求的電子系統，如大功率電源模塊、電池管理系統及高效電機控制等場景。
