NVMFS4C03NWFET1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有150A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及僅1.4mΩ的導通電阻（RDS(ON)），在柵源電壓（VGS）為20V時可實現極低的導通損耗。其超低阻抗特性顯著減少功率耗散，適用于對效率和熱性能要求嚴苛的大電流開關場景，如高性能電源轉換、電機控制及高密度功率模塊等應用。
