JMSH0401AGQ_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的漏源電壓（VDSS）為40V，最大連續漏極電流（ID）達219A，在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）僅為1.2毫歐。低導通電阻有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。其高電流承載能力與優異的導通特性，使其適用于大功率電源、電機控制、電池管理系統及高頻開關電路等應用場景，能夠在高負載條件下維持穩定可靠的運行性能。
