TSM052NB03CR RLG_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:90A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備90A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.5毫歐，在柵源電壓（VGS）達±20V時保持穩定工作。低導通電阻有效降低導通損耗，提升整體能效，適用于高電流、低電壓的電源管理、電機控制及高頻開關電路等場合。其電氣特性支持快速開關動作，有助于減小系統體積并提高功率轉換效率，適合對熱性能和動態響應有較高要求的應用環境。
