BSC040N10NS5ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及3.6毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻使其在大電流工作條件下顯著降低導通損耗，提升整體能效。適用于高功率密度的開關電源、電機驅動、不間斷電源及各類高效電力轉換系統。器件在高頻開關應用中表現出良好的動態性能和熱穩定性，適合對效率與空間布局有較高要求的電子設備。
