NTMFS4849NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:90A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有90A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、3.5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較高的能效與溫升控制。適用于大功率電源轉換、電機驅動、電池管理系統及各類需要高效開關性能的電子設備中，能夠支持頻繁開關操作并保持穩定可靠的電氣特性。
