SI7792DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:150A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS），連續(xù)漏極電流（ID）高達(dá)150A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為1.4毫歐，柵源電壓（VGS）最大額定值為20V。其極低的導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通損耗，適用于大電流電源管理、高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器以及對熱性能和能效要求嚴(yán)苛的電子系統(tǒng)。器件支持快速開關(guān)動作，在高頻工作條件下仍能保持良好性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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