SIR482DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4.7毫歐，在柵源電壓（VGS）達20V時可確保可靠驅動。其低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。適用于高電流開關電源、電池管理系統、電動工具及各類需要高效功率轉換與快速開關響應的電子設備中，能夠有效支持緊湊布局與熱管理需求。
