IPD06N03LB G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至5毫歐。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較高效率。適用于電源管理、同步整流、負載開關及大電流DC-DC轉換等應用場合。器件結構支持良好的熱傳導性能，便于在空間受限且對能效要求較高的電子系統中實現穩定可靠的運行。
