IPD65R1K0CEAUMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備900V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續漏極電流能力，導通電阻（RDS(ON)）為712mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅動條件下穩定工作。得益于碳化硅材料的物理特性，該器件在高頻開關操作中展現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統，如服務器電源、可再生能源逆變器及高頻DC-DC變換器等場合。
