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WML13N65EM_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為260mΩ，在柵源電壓范圍-5V至!6V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫性能與開(kāi)關(guān)效率，適用于對(duì)功率密度和能效要求較高的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其低導(dǎo)通損耗與快速開(kāi)關(guān)特性有助于提升系統(tǒng)整體效率，同時(shí)簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

WML13N65EM_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)