STW69N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續(xù)漏極電流、650V的漏源擊穿電壓和44mΩ的導(dǎo)通電阻，柵源電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，在高頻工作時表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗，同時具備良好的熱導(dǎo)性能。適用于高效率、高功率密度的電源系統(tǒng)，尤其在對體積、散熱及能效有嚴(yán)格要求的電力電子設(shè)備中表現(xiàn)突出。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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