IPZ60R037P7XKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅場效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，最大漏極電流ID達(dá)99A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)低至26mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件具備高耐壓與低導(dǎo)通損耗特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換場景，可在高頻開關(guān)條件下保持穩(wěn)定性能，適合用于各類高效電源系統(tǒng)及能量變換裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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