NTHL110N65S3F-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備32A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。其采用碳化硅材料，具有優異的高溫穩定性和高頻開關特性，在高效率電源、可再生能源系統及高頻電力轉換等應用中可實現更低的損耗與更高的功率密度。
