SIHG33N65EF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備32A的漏極電流能力與650V的漏源耐壓，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關(guān)操作中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高性能計算設(shè)備中的功率管理模塊，能夠在緊湊布局下維持良好的電氣性能與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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