SIHG075N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的漏極電流額定值和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為75mΩ，在柵源驅(qū)動電壓范圍-8V至@0V內(nèi)可靠運(yùn)行。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及各類中高功率電子設(shè)備中的功率開關(guān)環(huán)節(jié)。其電氣參數(shù)組合有助于實(shí)現(xiàn)緊湊的電路布局與較高的系統(tǒng)能效。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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