IXFN170N65X2-HXY_SOT-227_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：13/管裝 參數1：ID:165A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備165A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓達750V，導通電阻低至11mΩ，可在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。器件利用碳化硅材料優勢，在高電壓、大電流條件下仍保持優異的開關速度與低損耗特性，適用于高功率密度電源系統、可再生能源轉換設備以及對效率和熱性能要求嚴苛的電力電子應用。
