TW015Z65C,S1F_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:189A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有189A的連續漏極電流（ID），漏源擊穿電壓（VDSS）為750V，導通電阻（RDS(on)）低至11mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備高耐壓、低導通損耗及優異的高頻開關性能，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統以及對熱管理與空間布局要求嚴苛的電力電子應用。
