IXTP34N65X2-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅場效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，額定漏極電流ID為30A，漏源擊穿電壓VDSS達(dá)650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓與大電流條件下仍能保持較低的導(dǎo)通損耗和良好的開關(guān)性能，適用于對效率和熱管理要求較高的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，可有效提升整體能效與功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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