IPW65R045C7FKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻RDS(ON)為44mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。其寬驅動電壓范圍有助于提升開關可靠性，低導通電阻可有效降低導通損耗，適用于高效率、高頻率的功率轉換系統，如服務器電源、光伏逆變器及儲能設備中的直流-直流或直流-交流變換環節。
