SQW33N65EF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有32A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的優勢，在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源系統、可再生能源轉換裝置及對熱性能要求較高的電力電子應用。其電氣參數支持在寬驅動電壓范圍內穩定運行，有助于簡化驅動電路設計并提升系統可靠性。
